英特磊 IET-KY(4971-TW) 今 (7) 日召開法說，董事長暨總經理高永中表示，隨著 5G 帶動磊晶片需求，加上產品組合調整，預期第 4 季營收、獲利都可望優於第 3 季，全年營收可年增 1 成，對於明年展望也審慎樂觀。
高永中表示，去年看到大環境變化，投資擴產速度放緩，今年已恢復正常水準，因應未來需求成長，將調整現有生產機台，用大 MBE 機台替換較小機台，並視未來訂單需求進一步決定是否增加第 3 台大型 MBE 。
依產品別來看，高永中表示，砷化鎵 (GaAs) 部分以汽車防撞雷達及高頻應用的 pHEMT 晶片仍占營收主力，也已取得大廠新的 RF 高頻 pHEMT 量產訂單，爭取本季開始穩定出貨、貢獻營收，此外，高速 VCSEL 磊晶片量產訂單也穩定出貨，將持續與客戶共同開發其他波長及用途的 VCSEL。
磷化銦 (InP) 部分，5G 相關 HBT，PIN 磊晶片定期量產訂單已到位，公司將於新廠擴增生產機台認證，以靈活調度產能，並將與客戶進一步開發磷化銦及相關銻化鎵生物感測雷射晶片，銻化鎵 (GaSb) 部分，預計明年可取得國防量產訂單。
英特磊第 3 季產品營收比重，砷化鎵占營收比重 49.3%、磷化銦 36.8%、銻化鎵及其他約占 13.9%。
展望明年，高永中表示，預期未來主要成長動能將來自 5G 相關高頻高速及通訊相關晶片，如高速 VCSEL 磊晶片、銻化鎵紅外磊晶片，對明年展望仍審慎樂觀，維持 10-20% 年增幅度。