歷經近一年多景氣循環，DRAM、NAND Flash 原廠逐步去化庫存，市場朝供需平衡邁進，價格走勢趨穩，明年在 5G、人工智慧應用推升下，有助 DRAM 與 NAND Flash 需求增溫，記憶體市況料將走出近 1 年的景氣修正期，最快明年上半年，產業就可重回上升循環。
DRAM 去年第 4 季起市況反轉，今年第一、二季價格持續走跌，第 3 季受惠旺季需求帶動，市場拉貨情況優於業者預期，加上供給端庫存有所改善，DRAM 價格雖仍續跌，但跌價情況已趨緩。
南亞科 (2408-TW) 總經理李培瑛並認為，第 4 季 DRAM 供需平穩，價格將持平或小幅上漲，位元出貨量則有機會持平上季、或小幅減少。從需求來看，雲端伺服器需求逐漸增加，手機新機搭載量也成長，PC 出貨量下半年估優於上半年，智慧音箱等消費型電子產品，需求則持穩。
明年全球經濟景氣雖仍不穩定，但 DRAM 廠庫存已去化至健康水位，加上大廠持續調節庫存，明年資本支出也相對保守，有機會帶動價格反彈，李培瑛預估，最快明年第 1 季，就可望出現價格反彈力道，但確切的時間點，仍得視大廠庫存去化情形。
南亞科董事長吳嘉昭甚至樂觀認為，明年第 2 季起，DRAM 市場就會供需平衡，且若市場未有大量新產能開出，下半年 DRAM 市況可望再度供不應求。
NAND Flash 去年持續供過於求，跌價情況嚴重，今年首季價格也急挫 3 成，而後並跌破現金成本價，但由於大廠相繼減產，加上東芝 6 月跳電事件後，產能大受衝擊，帶動 NAND 現貨價於 7、8 月反彈翻揚，9 月雖回落，但近期又再次走揚，價格趨穩。
歷經逾一年的低迷市況，群聯 (8299-TW) 董事長潘健成也說，目前主要 NAND Flash 原廠已逐漸去化庫存，加上 5G 技術應用基礎設備開始建置，且車載系統普及率上升、內容創作者等 NAND 儲存新應用興起，對第 4 季樂觀看待。
由於原廠庫存去化有成，加上今年第 3 季旺季需求順利啟動，市場拉貨程度優於預期，明年隨著 5G 時代來臨，在 5G 手機、智慧家庭與自動駕駛等相關應用驅動下，擁有運算能力的終端產品數量將顯著提升，持續推升對記憶體產品的需求，價格也將反彈走揚，記憶體產業近一年來的景氣循環低谷，可望因此告終。