南韓三星電子在週二 (17 日) 宣布，已經展開 512GB 的 eUFS 3.1 手機儲存晶片量產。它的連續寫入速度較前代產品 512GB eUFS 3.0 快上 3 倍，達到每秒 1,200MB。另外 6 代 V-NAND 也即將展開量產。
三星表示新的儲存晶片可讓智慧型手機的資料存取，比起傳統 PC 搭配固態硬碟 (SSD) 或 MicroSD 卡，明顯還要來的更快。
另外，新的儲存晶片的連續讀取速度可達到每秒 2,100MB。隨機讀取和寫入的速度也分別可達 100,000 IOPS 及 70,000 IOPS，較廣泛使用的 UFS 3.0 版本快上 60%。
容量方面，除了 512GB 之外，在產品線中也將有 256GB 及 128GB 等不同選項。
三星電子也在聲明中補充，該公司位在南韓平澤廠的 P1 產線，已即將展開 6 代 V-NAND 的生產。而同時，中國西安廠的 X2 產線也在本月展開 5 代 V-NAND 的生產。
三星電子於 2017 年後期展開 512GB 快閃記憶體的大量生產，並於 2018 年開始搭載於自家的智慧型手機上頭。
還有自本月初以來，三星也加強南韓半導體工廠的武漢肺炎 (COVID-19) 篩檢程序，以避免相關的問題再度發生。
三星電子位在南韓的龜尾廠，曾在今年 2 月及 3 月時，因有員工感染武漢肺炎而多次停工。有外媒報導三星為確保高階智慧型手機的穩定供應，正打算把更多產能移轉到越南，直到疫情降溫為止。