第三代半導體材料氮化鎵 (GaN)、碳化矽 (SiC)，因擁有小尺寸、耐高溫、耐高壓等特性，將帶動電源、工業、電動車等應用邁向下一個新時代，被動元件業者普遍看好，中高壓、高容值被動元件需求可望跟進成長趨勢，需求同步放大。
氮化鎵應用包括 5G 基地台與手機、電源、電動車等三大領域，碳化矽相較氮化鎵，更耐高溫、耐高壓，較適合應用於嚴苛的環境，應用包括不斷電系統、智慧電網、電源供應器等高功率應用領域。
被動元件業者分析，第三代半導體材料發展勢必同步帶動大功率被動元件需求，以氮化鎵為例，由於氮化鎵 Mosfet 具有小巧、高效、發熱低等特點，電源內部設計空間因此增加，原本尺寸小的電解電容及 Disc 安規電容，皆將轉換為大尺寸 MLCC。
研調機構分析資料顯示，氮化鎵市場規模從今年到 2022 年，年複合成長率 (CAGR) 高達 60%；碳化矽到 2022 年的年複合成長率也高達 40%，也可望帶動大尺寸、高功率的被動元件需求隨之增加。