日經亞洲評論報導稱，全球第二大 NAND 快閃記憶體製造商鎧俠 (KIOXIA) 已成功開發出 170 層的 NAND 快閃記憶體，其讀寫速度是目前鎧俠最高階產品 (112 層) 的兩倍以上。
該技術是鎧俠與美國合作夥伴威騰電子（Western Digital）聯合開發，在成功達到這個新里程碑後，鎧俠已與美光和 SK 海力士並列，均擁有這項尖端技術的實力。
在全球 NAND 市佔中，雖然美光排在第七名，但是在堆疊能力方面，美光毫不遜色，美光是全球第一家推出 176 層 3D NAND 快閃記憶體的廠商。
根據了解，鎧俠計畫在正舉行的國際固態電路大會 (SSCS) 上推出其新款 NAND，並預計最早在明年開始量產。
鎧俠希望能夠借助新的高階產品，滿足數據中心和智慧手機相關的需求，因為 5G 技術興起帶動更大，更快的數據傳輸。但是該領域的競爭不斷加深，美光和 SK 海力士在之前已率先宣布 176 層 NAND。
另外，鎧俠還成功地在新型 NAND 每層上安裝了更多的儲存單元，這意味著與相同容量的記憶體相比，它可以使晶片縮小 30% 以上。更小的晶片將使智慧手機、伺服器等其他電子產品內部空間具有更大的靈活性。
為了提高快閃記憶體的產量，鎧俠和威騰電子計畫今年春季在日本四日市建設一個約 94.5 億美元的工廠，他們的目標是在 2022 年第一批生產線能順利量產。此外，鎧俠在日本 Kitakami 工廠周邊也買下幾家工廠，以便未來能夠根據需求擴大產能。