全球半導體晶片短缺情況持續，有報導指出，三星電子 (Samsung) 位在平澤市的新廠生產線最早將於今年 6 月投入運營，有望供應更多晶圓代工的產能，並增加記憶體的生產。
報導中指出，三星電子平澤工廠一廠 (P1) 於 2017 年 6 月開始量產。三星電子隨後於 2018 年破土動工建設平澤二廠 (P2)。新廠已經在 2020 年下半年開始通過極紫外光 (EUV) 光刻設備量產第三代 10 奈米 LPDDR5 行動 DRAM。
除了 DRAM 生產線外，平澤 P2 還將於今年下半年啟動新的晶圓代工產線和下一代 V-NAND Flash 生產線。 三星電子的一位高管表示，平澤 P2 的所有生產線，將按原計劃於 2021 年下半年投入運營。
有業內人士表示：「就我所知，平澤 P2 自 2021 年初以來，持續在提高運作率。」
在先前，有知情人士表示，三星電子正在加速該公司在平澤市的晶圓廠建設，最早將於 9 月份開始動工興建第三廠。三星在平澤市建造的第三條產線名稱為 P3，預期將成為三星電子最大的晶片製造廠，投資金額預估超過 30 兆韓元 (252 億美元)。三星電子也計劃在平澤市再新建三座晶圓廠，總計將有六條晶片生產線。
考量到製造設備的設置和測試時間，業內人士認為，P3 的最快可能在 2023 年下半年開始量產。此外，P3 廠佔地規模預期將大於 P2 廠，預期將生產 DRAM、NAND Flash、系統半導體等。
三星電子曾提出了在 2030 年成為全球第一邏輯晶片製造商的願景，並希望在 3 奈米競賽中能擊敗台積電。該公司也投資了 133 兆韓元來增強在系統 LSI 和代工業務市場中的競爭力。