DRAM 廠南亞科 (2408-TW) 將斥資 3000 億元建 12 吋新廠，第一階段預計 2024 年量產；當前正值產業迎來上升循環之際，南亞科砸下鉅額資金擴廠，除現有產能有限，加上看好 DRAM 市場需求每年將穩定成長 15-20% 外，自主研發技術有成，也將使其擺脫高昂的授權費用支出，為新廠營運減輕部分壓力。
DRAM 市況去年第四季落底，南亞科今年第一季營運顯著彈升，純益較上季大增近 2 倍，EPS 也攀近 3 季高點，每股賺 0.88 元，產業從第一季起正式進入新一輪景氣正向循環，而在市況大好之際，南亞科也宣布將斥資 3000 億元建 12 吋新廠。
南亞科將在新北市泰山南林科技園區，投資興建 12 吋先進晶圓廠，以 7 年分三階段投資，規劃月產能共 4.5 萬片，2024 年將量產第一階段、月產能約 1.5 萬片，導入自主研發的 10 奈米級製程第二代。
南亞科過去曾歷經產業不景氣，及同業整併等挑戰，且從 3A 廠建廠以來，製程一路從 30 奈米轉進 20 奈米，再到現在的 1A 奈米，累計共已投入超過新台幣 2000 億元資金，而興建一座 12 吋晶圓廠投資額動輒千億元起跳，也讓營運曾面臨鉅額虧損的南亞科，對新廠的投資規劃格外謹慎。
據悉，12 吋新廠投資已規劃相當長一段時間，待取得台塑集團大家長、總裁王文淵支持後，才正式定案。
而南亞科在此時擴廠，一大原因是由於現有廠房擴產空間有限，並看好未來幾年，在 5G、AI 等應用驅動下，電子產品智慧化含量增加，對記憶體需求持續提升，DRAM 市場需求每年均穩定成長 15-20%，且大部分供應商擴產時，也會設法貼近產業實際需求增幅，使過去幾年產業相對穩健發展。
從另一個角度來看，根據南亞科與美光雙方的授權協議，若採用美光技術授權，要擴新廠需先取得美光許可，且授權金也將重新議定。
不過，南亞科近來自主研發技術有成，去年成功開發出 10 奈米級 DRAM 記憶胞技術，第一代 10 奈米級製程產品 8Gb DDR4，預計下半年開始送樣，DDR5 也進入產品設計開發，同時正加速第二代技術及產品開發時程，預計第三季導入試產。
隨著自主研發能量提升，南亞科新廠不再仰賴美光技術授權，將採用自行研發的 10 奈米級製程技術，大幅降低高昂的授權費用支出，也為新廠營運減輕部分壓力。