DRAM 大廠南亞科 (2408-TW) 今 (4) 日召開股東會，董事長吳嘉昭看好，下半年整體 DRAM 產業與市場售價可望持續正向發展，第一代 1A 前導產品與第二顆下世代 DDR5 正試產中，第二代 1B 首顆產品近期也將試產；12 吋新廠將於年底動土，目標 2023 年底前裝機。
吳嘉昭表示，目前南亞科第一代 10 奈米級製程技術 (1A) 試產線已裝機，第二代 10 奈米 (1B) 級製程技術首顆產品，將在近期開始試產。
吳嘉昭表示，將持續優化 20 奈米產品組合，除增加在伺服器及 PC OEM 客戶的認證，也將加速低功率產品推廣，未來目標市場包括攜帶型產品、汽車及工業等應用，可有效提高產品價值與銷售彈性。
對於新廠進度方面，吳嘉昭指出，為滿足市場需求及公司長遠發展，已規劃在南林科技園區中興建新廠，持續導入先進製程及產品並擴產，新廠預計年底動土，目標 2023 年底前開始裝機，產能規模將視市場需求分階段設置。
南亞科股東會也通過現金股利總額為新台幣 40 億元，因轉讓庫藏股及員工執行認股權憑證，調整每股現金股利金額為 1.29660236 元，並訂明 (5) 日除息。