英特爾 (INTC-US) 3 月宣布重返晶圓代工產業後，鳴響先進製程競賽第一槍，晶圓代工龍頭台積電 (2330-TW) 還未公布 2 奈米量產時程，三星、英特爾已迫不及待一較高下；繼英特爾宣示要在 2024 年量產 Intel 20A(2 奈米) 製程後，三星也放話 2025 年要超車台積電，搶先量產 2 奈米晶片，先進製程霸主爭奪戰已火熱開打。
從台積電先進製程進度來看，目前 3 奈米開發照計畫進行、進度良好，已開發完整平台支援高效能運算及智慧型手機應用，且相較 5 奈米，3 奈米量產首年會有更多新產品設計定案，預計下半年試產，2022 年下半年量產。
不過，對於眾所矚目的下世代 2 奈米製程，台積電僅透露將改採 GAA(環繞閘極) 架構，還未公布量產時程。相較於台積電，目前在先進製程爭霸賽暫居落後的英特爾與三星，顯得野心勃勃，接連對外喊話、公布最新技術進展。
英特爾今年 3 月才宣布 IDM 2.0 戰略計畫，重返晶圓代工產業與先進製程推進行列，時隔不到半年，就在 7 月時揭示先進製程技術藍圖，將從 4 奈米製程起採用極紫外光 (EUV) 微影技術，2023 年下半年量產 3 奈米製程，2024 年跨入 Intel 20A(即台積電的 2 奈米)、並逐步量產。
若對照與台積電的世代差異，英特爾 4 奈米、3 奈米與台積電量產時間相差 1 年，而從台積電過去先進製程發展軌跡來看，業界普遍預期，台積電 2 奈米可望在 2024 年量產，若以此對照英特爾的 20A 製程，將有機會追上台積電的 2 奈米。
有別於台積電 3 奈米仍沿用 FinFET(鰭式場效電晶體) 架構，三星決心要趕在台積電前，以 GAA 架構量產 3 奈米，要藉此彎道超車，並宣稱其在 GAA 研發進度領先台積電。
在 6 日舉行的 2021 三星晶圓代工論壇上，三星宣布明年上半年量產第一代 3 奈米 GAA GAE，較原先規劃的今年推出時程延遲，並計畫 2023 年推出第二代 3 奈米製程 GAA GAP；三星也首度提及 2 奈米製程進度，宣示將於 2025 年量產，同樣採 GAA 架構。
不過，若以業界預期台積電 2 奈米問世時程來看，三星仍將落後近一年時間。即便在先進製程推進進度上領先，但晶圓代工良率才是決勝關鍵，三星過去曾有良率不佳、導致客戶投片報廢的不良紀錄，也傳出目前 5 奈米產品良率仍低於 50%，加上採用 GAA 技術門檻更高，要在 3 奈米、甚至 2 奈米上彎道超車台積電，恐怕還要一段時間。