繼 4 月宣布砸新台幣千億元在南科擴產後，市場傳出，晶圓代工廠聯電 (2303-TW) 內部計畫將在新加坡興建第二座 12 吋新廠，月產能至少 2 至 3 萬片，投資金額超過 1000 億元，業界推估，新廠可能採 40 奈米以下製程生產。
對於市場傳言，聯電表示，新加坡本來就有設廠，在全球有據點的地方持續評估建廠規劃，目前還沒有確切地點。
聯電新加坡廠 Fab 12i 於 2004 年量產，座落於白沙晶圓科技園區，製程為 0.13 微米至 40 奈米，月產能 5 萬片，為特殊技術中心，產品涵蓋 FPGA(可編程邏輯元件) 與無線通訊晶片等。
業界指出，新加坡政府過去一年來，已宣布規模數十億美元的半導體相關投資計畫，祭相關補貼政策，力邀半導體大廠前往當地設廠，若製程越先進、或與第三代半導體相關的投資，就能獲得更多補貼優惠。
聯電當年首度進軍新加坡設廠時，即獲得十年免稅優惠；由於目前新加坡當地最先進製程為 40 奈米，業界人士認為，聯電此次可能採 40 奈米以下、如 28 奈米製程生產，而在當地再蓋一座 12 吋新廠，也能提升技術與資源等營運綜效。
聯電今年 4 月宣布擴充南科 Fab 12A P6 廠產能，採 28 奈米製程、月產能 2.75 萬片，預計 2023 年第二季投產，客戶將以議定價格預先支付訂金，並傳出已預付訂金客戶包括聯發科 (2454-TW)、高通、三星 LSI、聯詠 (3034-TW) 等。
今年以來晶圓代工產能短缺，各廠相繼投資擴產，成熟製程產能將從明年起陸續開出，2023 年達到高峰。
聯電目前產能仍供不應求，也與不少客戶討論更長期的產能合作規劃，此次將再擴建新廠，顯見對半導體產業景氣後市還是樂觀看待；至於新廠為確保維持健康的產能利用率，是否會依循南科擴產模式，由客戶預付訂金，也將受矚。