記憶體大廠 SK 海力士計畫升級中國無錫廠設備，導入 ASML 的 EUV(極紫外光) 設備機台，但傳遭美方出手阻撓；市場預期，SK 海力士無錫廠升級計畫受阻，恐無法轉進生產下世代 DDR5 產品，DDR4 供給不如預期減少，價格恐續下挫，模組廠則可趁低價備貨料源，可望因此受惠。
SK 海力士無錫 DRAM 廠月產能 18 萬片，採 1Y 奈米製程生產，主要產品為 DDR4，無錫廠占 SK 海力士約半數 DRAM 產能，全球市佔率則為 15%。而 SK 海力士計畫在無錫廠引進最新 EUV 設備，卻遭美方阻撓，無錫廠升級計畫因此受阻。
SK 海力士今年 7 月宣布以 EUV 設備、採用 1a 奈米製程，量產 8GB 容量 LPDDR4 行動裝置用 DRAM，並計畫在未來所有 1a 奈米的 DRAM 生產上，全面導入 EUV 技術，以確保品質穩定；SK 海力士也計畫 2022 年初時，採用 1a 奈米製程生產 DDR5 產品。