2 奈米成為半導體先進製程決戰點，台積電 (2330-TW)(TSM-US)、三星、英特爾 (INTC-US) 相繼喊出量產時程，也持續往再下世代的埃米 (angstorm) 時代佈局，High-NA(高數值孔徑) EUV 則為延續摩爾定律的關鍵，台積電除先前傳出取得 High-NA 研發型 EUV 曝光機外，也首度談及引進量產型機台時程，持續掌握埃米時代話語權。
目前 ASML 推出的三代 EUV 曝光設備，生產晶片精度最多 2 奈米，一旦進入 2 奈米以下的埃米時代，就得以更高精準度曝光設備生產，透過最先進的 High-NA EUV 微影設備，才能推進半導體技術下個重大創新，成為先進製程決勝關鍵。
英特爾今年初宣布已率先向 ASML 購買業界首台 High-NA 量產型 EUV 設備 EXE:5200，其為首款具備 High-NA 的 EUV 大量生產系統，每小時晶圓曝光產能超過 200 片，英特爾並宣布將於 2025 年開始以 High-NA EUV 進行生產。
由於英特爾為當時首家宣布取得 High-NA 量產型 EUV 設備的半導體廠，格外引發市場關注，甚至有研調機構分析師認為，若英特爾可搶先採用該設備，在摩爾定律競賽中，有機會超車台積電。
不過，台積電在日前的北美技術論壇上，首度談及引進相關設備時程，宣布將於 2024 年引入 EXE:5200，以滿足客戶需求並推動創新，但並未透露該設備大規模量產時間點，僅表示 2024 年還不準備用新的 High-NA EUV 設備生產，主要用於與合作夥伴的研究。
然而，在英特爾下訂業界首台 High-NA 量產型 EUV 設備 EXE:5200 前，業界就傳出台積電早已向 ASML 採購 High-NA 研發型 EUV 曝光機 EXE: 5000，除搶下大部分機台外，相關設備今年就能開始供貨，且每小時生產的晶圓片數為 182 片，與量產型機台差異不大。
也因此，業界認為，即便英特爾率先取得量產型機台 EXE：5200，但對產能幫助可能有限，要在埃米時代拿下市場霸主地位，恐怕還是充滿挑戰。