台亞 (2340-TW) 今 (23) 召開股東會，總經理衣冠君表示，除了感測元件與不可見光業務外，公司持續積極布局第三代半導體，旗下積亞半導體碳化矽 (SiC) 廠持續建置中，今年也針對氮化鎵 (GaN) 進行設備、技術投資，預計 SiC、GaN 功率元件產品可望在明年陸續向客戶送樣。
台亞表示，過去在磊晶及分離器件製造技術上已有相當深厚的基礎，將擴大加強與上游 IC 設計公司及下游封測、產品的合作，加上公司磊晶、後段製程、封測的資源，期許成為類 IDM 廠，可於短時間内製作出高電子遷移率電晶體樣品。
衣冠君表示，SiC 方面主要由旗下積亞所布局，預計未來將會先完成小型產線生產功率元件，年產能約 3000 片，而台亞將負責 GaN 功率器件，產品將主攻充電樁市場，比 SiC 的元件相比有更低的功耗，未來將結合 GaN 與 SiC，發展出高頻、高效的射頻器件及模組。
市場也期待台亞未來第三大半導體產品可望出給日亞化，衣冠君表示，日亞化在第三代半導體具備技術優勢，目前主要在光電產品合作，公司將持續布局第三代半導體，期望最終能出貨日亞化，進一步進入歐洲車廠供應鏈。