三星已開始進行 DDR6 的前期開發，三星封測業務 (TSP) 副總高永寬透露，記憶體性能持續提升之際必須更新封裝技術，預計三星 DDR6 將採半成品法 (mSAP) 封裝，DDR6 可望在後年開發完成。
三星表示，目前 SK 海力士、美光 (MU-US) 等競爭者已開始採用 mSAP 封裝量產 DDR5 產品，預計三星 DDR6 新品也將開始採用。
mSAP 封裝主要是針對減成法製作困境、與加成法精細線路製作的既存問題進行改良，可將蝕刻時間縮短、線路寬度不受電鍍銅厚影響，同時提升良率。
高永寬表示，若記憶體容量和處理速度需求提升，封裝上便需要相對應的技術設計，隨著層數上升、技術升級，記憶體基板市場將會持續擴大。
三星預計 DDR6 將在 2024 年開發設計完成，但 2025 年後才有機會商用，DDR6 記憶體速度將是 DDR5 的兩倍，傳輸速度在 JEDEC 上比 DDR5 增加 1.7 倍，超頻速度提高 2.36 倍。
另外，三星表示，其他封裝技術方面，三星也正在應用扇出型晶圓級封裝 (FO-WLP) 和扇出型面板級封裝 (FO-PLP)。
高永寬說到，三星去年 5 月起便開始量產谷歌手機 AP，這證明具備面板級封裝的實力。