三星電子周一 (24 日) 在韓國京畿道華城廠區內的極紫外光 (EUV) 專用 V1 生產線，為該公司利用新一代環繞閘極 (GAA) 架構技術生產的 3 奈米晶片產品舉辦出廠活動。三星沒有提到誰是 3 奈米晶片首家客戶，還有目前良率也令人好奇。
據《韓聯社》周一報導，該場紀念活動共有上百名相關人士出席，其中包括韓國產業通商資源部長官李昌洋、三星電子半導體事業暨裝置解決方案 (Device Solutions，DS) 本部長慶桂顯，以及該公司的員工及合作廠商等。
三星電子在上個月底宣布，該公司首款基於 GAA 架構技術的 3 奈米晶片已正式投入量產。目前全球的晶片生產，3 奈米製程是最先進的技術，台積電 (2330-TW)、英特爾 (INTC-US) 都投入全力研發，而三星電子則是在這場競爭當中率先推出該技術。
三星電子所採用的 GAA 技術，和以往使用的鰭式場效電晶體 (FinFET) 相比，有面積更小、能耗減少和性能提升等優點，技術層面的意義重大。
三星電子在 2000 年代初期投入 GAA 技術研究，並於 2017 年應用在 3 奈米製程，日前投入量產。
三星電子晶圓代工事業部在周一表示，他們將以創新技術邁向全球頂峰。而李昌洋則在致詞感謝三星公司相關員工們的付出，也強調須確保業界力量，致力提升 3 奈米製程良率；此外，李昌洋也承諾，基於韓國政府日前所公布的半導體強國發展戰略，在半導體生態系統的建構上會提供全面性的支援。
三星的 3 奈米晶片產品將運用在高效能運算 (HPC)，也打算與主要合作廠商共同推展至系統單晶片 (SoC) 等產品群。
而在華城之後，三星也計畫在平澤廠區運用 GAA 技術來進行 3 奈米晶片量產。