矽晶圓大廠環球晶 (6488-TW) 董事長徐秀蘭今 (13) 日表示，目前化合物半導體主力在碳化矽 (SiC)，氮化鎵 (GaN) 也同步向前走，其中碳化矽產能滿載、供不應求，預期第四季、明年第一季將有顯著營收貢獻，而第四代半導體氧化鎵也在研發階段，專利已申請好。
隨著碳化矽元件大廠陸續朝 8 吋推進，徐秀蘭表示，雖然環球晶仍在 6 吋 SiC 晶圓階段，但長晶爐研發已朝 8 吋進行，相較 Wolfspeed 等大廠耕耘 SiC 超過 30 年，希望能設法跑快一點、後發先至，持續拉近落後的距離。
徐秀蘭說，環球晶也在研發第四代超寬能隙半導體，但市場仍很小，第三代半導體一定要先成熟，第三代、第四代半導體都在同步推進中，SiC 目前訂單滿載，不過設備不太夠，還在持續擴增產能。
談及半導體產業庫存修正，徐秀蘭指出，8 月底前看到客戶端修正都是 6 吋等小尺寸矽晶圓，9 月陸續有一、兩個 8 吋客戶，希望將年底的貨延到明年 1 月，或某幾個產品換項目出貨，還在溝通中。
不過，徐秀蘭表示，12 吋需求仍穩健，僅部分與消費性與手機連動較高的客戶，受到較多存貨調整壓力，盼能延遲兩周出貨，但未看到先進製程客戶出現庫存調整，需求續強；她也說，第三季還是有客戶陸續簽訂新長約。