一、生活聊產業－第三代半導體台廠供應鏈
昨日重點摘要
1. 半導體主要有三大製造流程，分別是 IC 設計、IC 製造、IC 封測。
2. 使用材料的差異會有不同的特性，又分為「元素半導體」、「化合物半導體」
3. 並非第幾代就表示上一代會被汰換，而是根據物理特性的不同，而有不同的應用。
在 Type-C 供應鏈議題中，我們提及充電效率的提升主要就是因為氮化鎵的特性即為耐高溫、同時可以高頻運作，因此目前產品應用多在快速充電與電源管理等民生消費需求中使用。
碳化矽則是因為其耐高溫高壓的特性，故適合用在逆變器，不但帶動電源供應與工業應用的趨勢，更為電動車的關鍵零組件，使得多國將其視為戰略物資。
2. 基板長晶技術難度高，多國將其視為戰略物資
矽晶圓的製造主要是晶提煉、溶解、提純、蒸餾形成晶棒，在經過切片與拋光後形成晶圓。
當中晶體長成晶棒的過程稱作長晶，比如說 SiC 長出 SiC 晶棒、矽晶體長出矽晶棒
磊晶：在晶圓上長出新結晶形成半導體層的技術，磊晶完的晶圓再交給晶圓代工廠去製造晶片。
然而 SiC 基板長晶技術難度相當高，比方說當矽晶棒僅需 3 天就可以長出 200 公分高的晶棒，但 SiC 基板 7 天僅長出 2~5 公分。
技術難度高也代表生產成本提升，且沒有基板，就無法磊晶生產 SiC 晶片。使得 SiC 基板當前被視為戰略物資，要大量取得並不容易。
當前長晶技術主要也掌握在大廠手中，如 Cree(現為 Wolfspeed)、羅姆等國外大廠，台廠相較落後
不過在 SiC 磊晶與晶圓代工與一般半導體製程差異不大，故台廠若能掌握長晶技術，就等於最重要的關鍵技術。
台灣第三代半導體供應鏈與應用整理如下：
長晶依基板不同有
：(4934-TW) 太極、(6488-TW) 環球晶、(4944-TW) 兆遠
磊晶則有：
(3016-TW) 嘉晶、(6488-TW) 環球晶、(2455-TW) 全新、(3714-TW) 富采、(5347-TW) 世界先進等
晶圓代工：
(3707-TW) 漢磊、(3105-TW) 穩懋、(8086-TW) 宏捷科、(3714-TW) 富采、(2342-TW) 茂矽
IC 設計：
封裝：
二、指數走低；日本微調
近期經濟衰退疑慮升溫，國際盤勢的回落令科技類股普遍走疲，加上日本傳出微調殖利率取現控制，使得指數跌幅擴大，下跌 200 餘點，預估量為 2450 億。
集中市場多方指標：
(2002-TW) 中鋼、(2357-TW) 華碩、(2615-TW) 萬海、(2332-TW) 友訊
造成盤面壓抑：
(2330-TW) 台積電、(2317-TW) 鴻海、(3037-TW) 欣興、(2308-TW) 台達電、(2881-TW) 富邦金
櫃買市場多方指標：
(4721-TW) 美琪瑪、(1796-TW) 金穎生技、(6457-TW) 宏康、(6492-TW) 生華科、(8096-TW) 擎亞
拖累盤面則為：
(6446-TW) 藥華藥、(3529-TW) 力旺、(8069-TW) 元太、(5483-TW) 中美晶、(5347-TW) 世界
2. 日本放棄殖利率曲線控制？十年國債至 0.25% 飆漲至 0.46%
根據最新消息，一向被視為鴿派的日本央行行長黑田東彥調整的殖利率曲線控制計畫。
據周二政策聲明，日本央行現在將允許 10 年期日本國債殖利率升至 0.5% 左右，高於之前波動區間 0.25% 的上限。
此消息震驚市場，十年期國債急漲至 0.46% 引發全球金融市場動盪。
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