在接受日媒 IT Media 採訪時，英特爾 (INTC-US) 日本負責人分享公司在未來四年內重新奪回製程領先地位的計畫。他表示，隨著 Alder 和 Raptor Lake 的 7 奈米（Intel 7）節點問世，Meteor Lake 的 4 奈米（i4）晶圓已經量產。Intel 4 工藝將帶來 20% 的每瓦性能提升，並採用 EUV 光刻技術，以獲得更好良率和密度。
他進一步指出，英特爾還準備在年底推出 3 奈米等效工藝節點。這些晶圓專為伺服器級至強晶片設計。第 5 代 Xeon Emerald Rapids-SP 將採用 Intel 3 工藝製造。Emerald Rapids 將在 Sapphire Rapids 一年內作為軟更新推出。值得一提的是，這將是最後一個採用 FinFET 晶體管的節點。
英特爾的 4 奈米（intel 4) 和 3 奈米 (intel 3) 工藝由兩個獨立的團隊同時開發。這本質上是 Tick Tock 模型的重新啟動，允許快速節點採用。
由此可見，在 14 奈米苦苦掙扎幾年之後，英特爾將在今年進一步拉近和台積電和三星的差距，其 IDM 2.0 戰略，也使得他們成為了 3 奈米代工的重要玩家。
在基辛格重返英特爾擔任執行長以後，他定下雄心勃勃的 IDM 2.0 計畫。
時任英特爾代工服務總裁 Randhir Thakur（現在已經離職）在去年 11 月接受日經亞洲採訪時表示：「我們的目標是在本世紀末成為世界第二大代工廠，並且 [我們] 期望產生領先的代工利潤率。」
如上所說，3 奈米毫無疑問將成為英特爾的一個關鍵節點。
按照英特爾所說，Intel 3 將共享 Intel 4 的一些特性，但足夠新來描述這個新的完整節點，特別是新的高性能庫。其每瓦性能比 Intel 4 提高 18%。
因為英特爾把 intel 4 當作 intel 3 的基礎，外媒 semiwiki 也將其與台積電 (2330-TW) 3 奈米比較。 Intel 4 是相對於 Intel 7 的全節點縮減，在相同的功率範圍內估計性能提高了 20%，或者在相同的時鐘下功率降低 40%。這是英特爾自重新啟動其作為其他芯片設計商的客戶代工廠以來宣布的第一個全節點縮減，但該公司並不期望其新客戶部署 intel 4，盡管它強調他們將能夠如果他們願意，可以使用它。
相反，英特爾認為，當該工藝可用時，其未來的前沿代工客戶將主要瞄準 intel 3，其原因之一是英特爾 4 針對高性能芯片進行了優化。
英特爾將在 Intel 4 工藝中將 EUV 引入製造，然後在 Intel 3 中深化該技術的使用。據英特爾稱，在沒有 EUV 的情況下，從 Intel 7 到 Intel 4，每個 CPU 需要使用的掩模數量將增加 30%。相反，Intel 4 所需的掩膜數量下降 20%。總流程步驟減少 5%。