據南韓科技媒體 SamMobile 報導，半導體製造設備大廠 ASML 將在未來幾個月內推出生產 2 奈米晶片的設備，且數值孔徑（NA）光學性能從 0.33 提高到 0.55。
據《芯榜 +》報導，相較於 DUV 浸入式曝光系統（193nm），EUV 曝光系統使用的極紫外光波長（13.5nm）顯著降低，多圖案 DUV 步驟可以用單次曝光 EUV 步驟代替，有助於晶片製造商繼續向 7 奈米及以下更先進製程工藝推進，進一步提升效率，降低曝光成本。
目前 EUV 曝光機可以支援晶片製造商將晶片工藝推進到 3 奈米左右，但晶片製造商如果要繼續推進到 2 奈米，甚至更小的尺寸，就需要更高數值孔徑的 High-NA 曝光機。
相較於目前的 0.33 數值孔徑的 EUV 曝光機，High-NA EUV 曝光機將數值孔徑提升到 0.55，可進一步提升分辨率。根據瑞利公式，NA 越大，分辨率越高。
用於 2 奈米晶片的曝光機型號，為 High-NA 量產型 EUV 曝光機 EXE:5200，將採用不同鏡頭系統，NA 更大。ASML 發言人曾表示，EXE:5200 是 ASML 下一代高 NA 系統，具有更高分辨率，可將晶片縮小 1.7 分之一，同時密度增加至 2.9 倍。
目前 ASML 官網列出的 EUV 曝光機僅有兩款——NXE:3600D 和 NXE:3400C，均使用 0.33 NA 的反射式投影光學器件與 13.5nm EUV 光源，分別適用於 3/5 奈米和 5/7 奈米晶片製造。
據 SamMobile 報導，ASML 計劃明年生產 10 台 2 奈米晶片製造設備，而英特爾（Intel）(INTC-US) 據傳已經預訂其中六台。
除了英特爾，台積電 (2330-TW) 、三星、SK 海力士等大廠也都在搶購 ASML 新一代高數值孔徑 High-NA EUV 曝光機。
ASML 最新 High-NA EUV 曝光機的價格將介於 3 億至 3.5 億歐元，目前熱銷的 EUV 曝光機單價則為 1.5 億至 2 億美元。