比利時微電子研究中心 (imec) 今 (22) 日宣布，攜手日本化工及極紫外光 (EUV) 光罩護膜大廠三井化學，共同推動極紫外光 (EUV) 微影應用的奈米碳管 (CNT) 光刻薄膜技術商業化，雙方正式建立策略夥伴關係。
在此微影技術發展藍圖下，新型光罩薄膜預計於 2025-2026 年推出，屆時艾司摩爾 (ASML) 開發的新一代 0.33 數值孔徑 (NA) 微影系統也將能支援輸出功率超過 600W 的曝光源。此開發時程攸關 2 奈米以下邏輯晶片技術的導入。
此次合作，三井化學將把 imec 根據奈米碳管所研發的創新光罩護膜技術，整合至三井化學的光刻薄膜技術，目標是實現能夠全面投產的規格，預計將在 2025-2026 年導入高功率的極紫外光 (EUV) 系統，此次簽約於 2023 SEMICON Japan 日本國際半導體展期間在東京進行。
imec 指出，此策略夥伴關係主要共同開發光刻薄膜及極紫外光 (EUV) 光罩護膜，由 imec 提供技術諮詢與極紫外光 (EUV) 曝光機測試，三井化學進行商用生產。
光罩護膜主要被設計用來保護光罩在極紫外光 (EUV) 曝光時免受汙染，不僅具備很高的極紫外光 (EUV) 穿透率 (≧94%) 和極低的極紫外光 (EUV) 反射率，對曝光的影響也能控制到最小，可讓先進半導體製造達到高良率和高產量所需的關鍵性能。
奈米碳管 (CNT) 光罩護膜甚至還能承受超過 1kW 等級的極紫外光 (EUV) 輸出功率，有助於發展新世代 (高於 600W) 的極紫外光源技術，廠商也對導入極紫外光 (EUV) 微影技術產生濃厚興趣，因此，此次雙方將攜手開發可供商用的奈米碳管 (CNT) 光罩護膜技術，以滿足市場需求。
imec 先進圖形化製程與材料研究計畫的資深副總 Steven Scheer 表示，在協助半導體生態系發展新世代微影技術方面，imec 擁有多年經驗。從 2015 年開始與整個供應鏈的夥伴們建立了合作，為先進的極紫外光 (EUV) 微影技術開發奈米碳管 (CNT) 光罩護膜的創新設計。
imec 有信心在量測、特徵化、奈米碳管 (CNT) 薄膜特性和性能方面，運用掌握的深度知識加速三井化學的產品開發，透過合作，希望能為新世代極紫外光微影技術推動奈米碳管光罩護膜的生產。