SEMI:今年全球半導體產能每月衝3000 萬片新高 年增6.4%

鉅亨網記者魏志豪 台北
IC示意圖。(圖:REUTERS/TPG)
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SEMI 國際半導體產業協會今 (4) 日指出,去年全球半導體產能年增 5.5%、每月 達 2960 萬片晶圓 (wpm, wafers per month) 後,預計今年將增速成長 6.4%,突破 3000 萬片大關。

SEMI 表示,去年產能溫和擴張主要是受市場需求趨緩以及半導體產業進入庫存調整影響,今年隨著生成式 AI 和高效能運算 (HPC) 等應用推動,以及晶片終端需求復甦,加速先進製程和晶圓代工產能擴增。

SEMI 全球行銷長暨台灣區總裁曹世綸表示,全球市場需求復甦,加上各國政府獎勵措施,帶動主要晶片製造地區晶圓廠建設和設備投資大幅成長,且半導體策略牽動全球政經局勢影響性日益增加,也成為半導體產能成長關鍵催化劑,預計 2024 年全球產能將成長 6.4%。

全球晶圓廠最新一季預測報告顯示,2022 年至 2024 年預測期間,全球半導體產業計劃有 82 座新設施投產,其中 2023 年及 2024 分別有 11 座及 42 座投產,涵蓋了 4 吋 (100mm) 到 12 吋 (300mm) 晶圓的生產線。

中國當地晶圓廠受惠政府資金挹注和其他獎勵措施,預期中國將擴大其在全球半導體產能的占比,中國晶片製造商預計今年將展開 18 座新晶圓廠,產能年增率將從去年的 12% 提升至 2024 年 的 13%,產能將從 760 萬片推升成長至 860 萬片。

台灣今年仍預計維持全球第二大半導體產能排名,產能年增率分別為今年的 5.6% 及 2024 年的 4.2%,每月產能由 540 萬片成長至 570 萬片,預計自 2024 年起將有 5 座新晶圓廠投產。

全球半導體產能排名第三的韓國,預計今年將有 1 座新晶圓廠投產,產能將從去年 490 萬片成長 5.4% 至 510 萬片;而產能位居全球第四的日本,預計今年將有 4 座新晶圓廠投產,產能將從去年 460 萬片成長至 470 萬片,年增率約 2%。

全球晶圓廠預測報告顯示,美洲地區今年將有 6 座新晶圓廠投產,晶圓產能年增率達 6% 提升至 310 萬片。歐洲和中東地區今年將有 4 座新晶圓廠投產,預計產能將增加 3.6%,達到 270 萬片。

東南亞今年將展開 4 座新晶圓廠投產,預計產能將增加 4%,來到 170 萬片。 晶圓代工領域產能持續強勁成長,業者將持續採購半導體設備,引領半導體產業擴張,其產能將從去年的 930 萬片,至今年達 1020 萬片的新紀錄。

受到個人電腦和智慧型手機等消費性 電子產品需求疲軟影響,去年記憶體領域產能擴張趨緩;DRAM 領域產能預計在去年微幅增加 2% 至 380 萬片,今年則增加 5% 至 400 萬片;3D NAND 每月產能預計 2023 年持平, 保持在 360 萬片,隔年則將成長 2% 至 370 萬片。

分離元件和類比領域,電動車進展仍是產能擴張的關鍵驅動因素。分離元件產能去年成長 10%,達到 410 萬片,到今年將成長 7%,達到 440 萬片;而類比領域產能預計將在去年成長 11%,達到 210 萬片,到今年則將成長 10%,達到 240 萬片。