荷蘭半導體設備製造商 ASML (ASML-US) 周三 (28 日) 證實，其大型新型高數值孔徑極紫外光 (High-NA EUV) 光刻系統已經「初見端倪」。這是一個里程碑，代表該光刻機雖然尚未發揮全部性能，但已開始運作。
英特爾 (INTC-US) 技術開發主管凱勒赫 (Ann Kelleher) 在周二 (27 日) 於聖荷西舉行的 SPIE 光刻會議演講中首次提到這一進展。而 ASML 證實凱勒赫的言論是準確的。
光刻系統使用聚焦光束來蝕刻電腦晶片的微小電路。ASML 的高數值孔徑極紫外光工具的大小相當於雙層巴士，每具成本超過 3.5 億美元，預計將有助於實現新一代更小、更快的晶片。
第一個高數值孔徑工具位於荷蘭 Veldhoven 的 ASML 實驗室，第二個工具正在俄勒岡州希爾斯伯勒附近的英特爾工廠組裝。
包括台積電 (TSM-US) 和三星在內的先進晶片製造商預計將在未來 5 年內採用該工具。英特爾在上周活動中表示，打算在其 14A 代晶片的生產中使用該工具。
凱勒赫在演講中表示，位在荷蘭 Veldhoven 的機器已經看到「抗蝕劑晶圓上的第一道光」，意味著該機器已用於對經過光敏化學品處理的矽晶圓進行測試，以便準備接收電路圖案。
ASML 發言人表示，「近日」已經達到第一個初步里程碑。