NAND 快閃記憶體控制晶片廠慧榮 (SIMO-US) 今 (13) 日宣布，推出 SM2756 UFS(Universal Flash Storage)4.0 旗艦款控制晶片，採用 6 奈米製程，以因應快速成長的 AI 智慧型手機、車用和邊緣運算等高效能應用需求，預計年中進入量產。
慧榮目前主力產品分布在 12 奈米，近年隨著產品效能強化，也往 6 奈米方向前進，從去年第四季到今年預計將會有 3 個 6 奈米產品進行設計定案 (Tape out)。
慧榮今日也同步推出全新第二代 UFS3.1 控制晶片 SM2753。慧榮指出，UFS 控制晶片系列已成為目前業界最廣泛的產品組合，支援從 UFS4.0 到 UFS2.2 各種標準，也支援最廣泛的 NAND Flash，包括次世代高速的 3D TLC 和 QLC NAND，為旗艦、主流和入門級的行動和運算裝置提供高效能、低功耗的嵌入式解決方案。
SM2756 是全球最先進的 UFS 4.0 控制晶片解決方案，以領先的 6 奈米 EUV 技術為基礎，並運用 MIPI M-PHY 低功耗架構，使其在效能與功耗間取得完美的平衡，滿足現今頂級 AI 行動裝置全天候運算需求。SM2756 循序讀取效能超過每秒 4,300 MB，循序寫入速度超過每秒 4,000 MB，支援各種 3D TLC 和 QLC NAND，且支援容量最高可達 2TB。
慧榮全新的第二代 SM2753 UFS 3.1 控制晶片解決方案採用高速序列連結的 MIPI M-PHY HS-Gear4 x 2-Lane 和 SCSI 架構模型 (SAM)，展現強大效能，繼 SM2754 UFS3 控制晶片的成功上市，進一步推出主打單通道設計的 SM2753，支援次世代 3D TLC 和 QLC NAND 以達到每秒 2,150 MB/1,900MB 的循序讀取 / 寫入效能，同步滿足主流與入門級手機、物聯網裝置以及車載應用的 UFS3 需求。
慧榮指出，最新的 UFS 控制晶片解決方案搭載先進的 LDPC ECC 技術和 SRAM 資料錯誤偵測與修正功能，能強化資料可靠性、提升效能並減少功耗。此外，支援最廣泛的快閃記憶體，包括所有 NAND 大廠所生產的 3D TLC 和 QLC NAND 。
慧榮終端與車用儲存事業群資深副總段喜亭表示，SM2756 採用 6 奈米 EUV 製程，滿足最新頂級智慧型手機對高效能、高容量與低功耗儲存的需求，符合次世代 AI 的功能和應用。全新的單通道 SM2753 UFS 控制晶片讓我們能以更具成本效益、高效能與低功耗的產品，持續在廣大且不斷成長的 UFS3 市場中保持領先地位。