據《wccftech》引述韓媒《中央日報》報導,美光 (MU-US) 最近與輝達 (NVDA-US) 的合作,「震驚」了參與 HBM 競賽的其他南韓公司,包括 SK 海力士與三星。
南韓媒體報導稱,由於美光在 HBM3E 工藝領先,輝達 Team Green 選擇他們為 H200 AI GPU 生產 HBM3E DRAM。
美光率先 2024 年 2 月宣布量產新型超高速 HBM3E 記憶體,領先 HBM 競爭對手 SK 海力士和三星。 這家美國記憶體公司宣布,將為輝達即將推出的 H200 AI GPU 供應 HBM3E 記憶體晶片,該 GPU 將配備 HBM3E 記憶體,而其前身 H100 AI GPU 則配備 HBM3 記憶體。
美光將在其 1b 奈米 DRAM 晶片上製造新型 HBM3E 儲存晶片,相較之一,據《中央日報》報導,競爭對手三星仍採用 1a 奈米技術,相當於 14 奈米技術。
以下是美光科技對其 HBM3E 製程功能的描述:
然而,美光獲得輝達的信任並不意味著該公司將獲得相對於該領域巨頭 SK 海力士的優勢。 近日剛剛有消息稱,SK 海力士向輝達送出了 12 層 HBM3E 型號進行資格測試,這意味著該公司可能會被納入 Team Green 即將推出的 AI 解決方案的供應商名單中。
此外,SK 海力士已經一直是輝達的大客戶,並在 HBM 行業中保持著 54% 的整體份額,市場預計,他們仍將納入 Team Green 即將推出的 AI 解決方案的供應商名單。