TrendForce 資深研究副總吳雅婷表示，整體 DRAM 產業規劃生產 HBM TSV 的產能約為 250K/m，占總 DRAM 產能（約 1,800K/m）約 14%，供給位元年成長約 260%；同時 2024 年底 HBM 產值在 DRAM 整體產業的占比，也預估將從 2023 年的 8.4%，提高至 20.1%。
吳雅婷表示，以 HBM 及 DDR5 生產差異來看，其 Die Size 大致上較 DDR5 同製程與同容量（例如 24Gb 對比 24Gb）尺寸大 35～45%；良率（包含 TSV 封裝良率），則比起 DDR5 低約 20～30%；生產週期（包含 TSV）較 DDR5 多 1.5~2 個月不等。
由於 HBM 生產周期較 DDR5 更長，至投片到產出與封裝完成需要兩個季度以上。因此，急欲取得充足供貨的買家需要更早鎖定訂單量，據 TrendForce 了解，大部分針對 2024 年度的訂單都已經遞交給供應商，除非有驗證無法通過的情況，否則目前來看這些訂單量均無法取消（non-cancellable）。
由於 HBM 售價高昂、獲利高，進而造就廣大資本支出投資。TrendForce 觀察，以 HBM 產能來看，三星、SK 海力士（SK hynix）至今年底的 HBM 產能規劃最積極，三星 HBM 總產能至年底將達約 130K（含 TSV）；SK 海力士約 120K，但產能會依據驗證進度與客戶訂單持續而有變化。另以現階段主流產品 HBM3 產品市占率來看，目前 SK 海力士於 HBM3 市場比重逾 9 成，而三星將隨著後續數個季度 AMD MI300 逐季放量持續緊追。