據韓媒 alphabiz 消息，輝達 (NVDA-US) 最快將自 9 月開始大量採購 12 層 HBM3E 記憶體，這些記憶體將由三星獨家供貨。
目前，SK 海力士供應了輝達 AI 半導體中使用的大部分 HBM 產品，報導稱，SK 海力士計畫自本月末開始，大量生產 8 層 HBM3E 產品，但因部分工程問題，未能推出 12 層 HBM3E 產品。
今年 2 月 27 日，三星電子官方宣布成功開發出業界首款 36GB 12H（12 層堆疊）HBM3E DRAM 記憶體。據稱，HBM3E 12H 能夠提供高達 1280GB/s 的頻寬和迄今為止最大的 36GB 容量，相比於 8 層堆疊的 HBM3 8H，在頻寬和容量上提升超過 50%。
在先前的 GTC 2024 中，黃仁勳曾在三星電子 12 層 HBM3E 實體產品上留下了「黃仁勳認證（JENSEN APPROVED）」的簽名，而引起關注。不過，黃仁勳簽名並不能保證立即被輝達採用。 在大規模使用之前，輝達可能會進行進一步的測試和評估。
輝達已確認他們目前正在測試三星的 HBM3E 記憶體，以便將其整合到 GPU 中。 兩家科技巨頭之間的合作可能會帶來強大的新型顯示卡。
根據市場追蹤機構 TrendForce 的數據，SK 海力士目前是 HBM 市場的領導者，占據約 53% 的市場份額，而三星則占約 38% 的份額。 美國美光科技公司 (MU-US) 占剩餘 9% 的份額。
在上周的例行股東大會上，負責公司晶片部門的三星總裁 Kyung Kye-hyun 表示，「今年將是（三星）全面復甦和增長的一年。」