SK 海力士執行長郭魯正周四 (2 日) 表示，雖然目前的 AI 是以資料中心為主，但今後可望迅速擴散到智慧型手機、PC、汽車等端側 AI（On-Device AI），因此，專門用於 AI 的「超高速、高容量、低電力」記憶體需求將會暴增。
郭魯正在「AI 時代，SK 海力士藍圖和戰略」為主題的國內外記者招待會上發表演說。
海力士具備了高頻寬記憶體 (HBM)、以 TSV 為基礎的高容量 DRAM、高效能 eSSD 等各產品領域的業界最高技術領導力，今後將透過與全球合作夥伴的策略合作，提供為客戶量身定做的全球頂級記憶體解決方案。
然而，針對公司當前 HBM 生產方面，郭魯正表示，今年已經全部售罄，明年也基本售罄。
從 HBM 技術面來看，公司為進一步鞏固市場領導力，預計在今年 5 月提供世界最高性能的 12 層堆疊 HBM3E 產品的樣品，並準備在第三季度開始量產。
金柱善社長針對「AI 領域記憶體展望」發表演說，他提及 AI 時代全球產生的資料總量預計將從 2014 年的 15ZB 成長到 2030 年的 660ZB。
以 AI 為導向的記憶體收入比重也將大幅增加。 HBM 和高容量 DRAM 模組等面向 AI 的記憶體在 2023 年整個記憶體市場的比例約為 5%(金額為準)，預計到 2028 年可以達到 61%。
DRAM 方面，正在量產 HBM3E 和 256GB 以上的超高容量模組，世界最高速度的 LPDDR5T 也已實現商用。
NAND 方面也在業界唯一提供基於 QLC 的 60TB 以上 SSD 產品等，維持著世界頂級面相 AI 的記憶體供應商地位。
此外，海力士也改進現有產品，推出新一代產品。不僅是 HBM4 和 HBM4E、LPDDR6、300TB SSD，同時還在準備 CXL Pooled（池化）儲存解決方案、PIM(Processing-In-Memory) 等創新的記憶體。
關於新工廠的投資，海力士上個月確定在美國印第安納州西拉斐特建造以 AI 為導向的記憶體先進封裝生產基地，該工廠將從 2028 年下半年開始量產新一代 HBM 等面向 AI 的記憶體產品。
無獨有偶，南韓三星也宣布今年將全力發展 AI 伺服器半導體業務，包括 HBM 和高容量固態硬碟（SSD），並計劃將今年 HBM 出貨量提升至去年的 3 倍，並在第二季完成業界最大 64TB SSD 的開發工作。
AI 熱潮帶來的大容量儲存半導體需求激增，讓三星電子受益。三星第一季藉由提升高價值 HBM 和伺服器用 SSD 的比例，專注於提高獲利能力而不是增加銷售量。因此，DRAM 出貨量季增季成長了 10% 左右，而 NAND 快閃記憶體出貨量略有下降，但 DRAM 的平均售價 (ASP) 上漲了 20%，NAND 快閃記憶體的平均售價上漲了 30% 以上。
眼見伺服器用記憶體半導體訂單激增，三星計劃全力進軍，透過 HBM、雙倍資料速率 (DDR) 5 和伺服器用 SSD 瞄準高價值記憶體市場，以擴大其競爭力邊緣。
三星今年目標將 HBM 供應量提升至去年的 3 倍，併計劃明年再翻倍，第五代 HBM 產品（稱為 HBM3E）已於本月開始量產，最早將於第二季度開始為營收做出貢獻。
12 層 HBM3E 產品也計劃於第二季量產，據了解，這些產品的客戶是美國的 AI 加速器公司 AMD (AMD-US)，專門從事資料學習和推理的半導體業務。
三星預計今年下半年 HBM3E 的銷售比例將超過 HBM 總銷量的三分之二，本季也開始量產伺服器用產品，即基於第五代 10 奈米 32Gb DDR5 的 128GB 產品，以滿足客戶需求。
三星電子也專注於主導 SSD 市場，計劃今年第二季完成超高容量 64TB SSD 的開發。今年伺服器用 SSD 出貨量預計將比去年成長 1.8 倍。