《路透》週四 (23 日) 報導，因發熱問題，三星高頻寬記憶體 (HBM) 未能通過輝達 (MVDA-US)測試。
三位消息人士稱，自去年以來，三星一直在努力通過輝達對 HBM3 和 HBM3E 的測試。
消息人士透露，最近對三星 8 層和 12 層 HBM3E 晶片的失敗測試結果已於 4 月公布。 目前尚不清楚這些問題是否可以輕易解決，但消息人士表示，未能滿足輝達要求增加了業界和投資者的擔憂，即三星可能會進一步落後於競爭對手 SK 海力士和美光 (MU-US)。
三星聲明中表示，HBM 是一款訂製記憶體產品，需要根據客戶需求進行優化流程，並補充說，該公司正在通過與客戶的密切合作來優化其產品。它拒絕對特定客戶發表評論。
截稿前，輝達 (NVDA-US) 拒絕置評。
HBM 是動態隨機存取記憶體或 DRAM 標準，於 2013 年首次推出，其中晶片垂直堆疊以節省空間並降低功耗，有助於處理複雜人工智慧應用產生的大量資料。隨著生成式 AI 熱潮中對複雜 GPU 的需求激增，對 HBM 的需求也激增根據研究機構 TrendForce 的數據，由於 AI 相關需求，預計 HBM 晶片市場今年將增長超過一倍，達到近 90 億美元。
HBM3 和 HBM3E 是最新版本的高頻寬記憶體晶片，它們與核心微處理器晶片結合使用，幫助處理生成式 AI 中的大量數據
分析師表示，三星本週換掉半導體部門負責人，此舉似乎凸顯了三星對其在 HBM 中落後地位的擔憂，稱需要一位新的高層人士來應對影響該行業的「危機」。
KB 證券研究部門主管 Jeff Kim 表示，市場對三星作為全球最大記憶體晶片製造商能夠迅速通過輝達測試抱有很高的期望，但像 HBM 這樣的專業產品需要一段時間才能滿足客戶的效能評估也是很自然的。
儘管三星尚未成輝達的 HBM3 供應商，但它確實已向 AMD (AMD-US) 供貨，2024 年第一季，三星 HBM3 產品陸續通過 AMD MI300 系列驗證，故自 2024 年第一季以後，三星 HBM3 產品逐漸放量。