三星記憶體負責人 JUNG BAE LEE 今 (4) 日表示，進入 HBM4 時代，記憶體廠、晶圓廠與客戶間的合作變得越趨重要，三星除了準備好 Turnkey 解決方案，也致力維持彈性，如提供 IP 給客戶自行設計基礎裸晶 (Basedie)，也不限於三星代工廠製造，將積極與他人合作；相關言論也被外界認為是在向台積電 (2330-TW)(TSM-US) 釋出善意。
業界指出，SK 海力士因應 HBM4 架構改變，已率先與台積電簽訂合作備忘錄，將基礎裸晶外包給台積電生產，並採用 12 奈米製程，藉此強化雙方間合作，一方面維持領先地位，另一方面也確保與輝達間的緊密關係，而三星此次來台釋出善意，也象徵是為未來 HBM4 之後的輝達訂單預做準備。
JUNG BAE LEE 指出，進入 AI 時代後，記憶體面臨高效能與低能耗挑戰，如 IO 數量增加、傳輸速度加快等，為打破現有速度與能耗瓶頸，其中一個方法就是將基礎裸晶外包給晶圓廠採用邏輯製程製造，再透過矽穿孔 (TSV) 技術與記憶體結合，進行客製化 HBM。
JUNG BAE LEE 預期，該現象將自 HBM4 後發生，代表記憶體業者、晶圓代工廠與客戶間三方的合作越趨緊密，三星因具有記憶體、晶圓代工等業務，已經準備好 Turnkey 解決方案，可滿足客戶一條龍式生產服務。
不過，JUNG BAE LEE 也強調，三星記憶體已準備好基礎裸晶的 IP 解決方案，提供給客戶自行設計，致力於代工服務彈性，未來合作並不限於三星代工廠，會積極跟他人合作，帶領產業在轉型時刻向前走。
三星看好，HBM 市場規模今年將達到 16 億 Gb，相當於 2016 年到 2023 年加起來再乘以兩倍的數字，顯現 HBM 的市場爆發力，並預期 AI 也將帶動 DRAM 市場，下世代 MCRDIMM 也已經準備好將在年底量產，並推出 32Gb DDR5。